2019年DRAM行业市场投资策略调研分析报告

发布时间:2021-10-24 01:10:46

2019年DRAM行业市场投资策略调研分析报告 1. DRAM 技术规格发展性能不断提升 .................................................... 3 2. 市场波动减弱需求增强,2020 或重*胶 ........................................ 6 2.1. DRAM 长盛不衰,占据存储半壁江山 ......................................... 6 2.2. 需求多元致周期波动减弱,2020 年预计重*胶 ..................... 8 3. 从存储产业发展历史中探寻中国存储发展路线 ............................... 13 3.1. 美国主导时期:原发技术驱动的半导体存储黎明 .................... 13 3.2. 日本存储的崛起:开创“官产学”一体发展模式......................... 13 3.3. 韩国存储的崛起:研发+扶持打赢持久战.................................. 15 4. 时势起东风至,中国存储蓄势待发 ................................................... 16 4.1. DRAM 巨头壁垒明显,需要外部力量助力打破 ....................... 17 4.2. 从自主研发到收购兼并,中国 DRAM 产业从 Fabless 走向 IDM 发展模式.................................................................................................. 18 4.3. 产能需求双驱动,多方合力襄助中国存储 ................................ 20 5. 投资建议............................................................................................... 23 6. 风险提示............................................................................................... 24 1. DRAM 技术规格发展性能不断提升 DRAM 存储器和 Flash 闪存芯片是当前市场中最为重要的存储器。 DRAM 是最为常见的系统内存,虽然性能较为出色,但是其断电易失, 相比于其同级别的易失性存储器,其成本更低,故而其在系统内存中最 为常见;Flash 则是应用最广泛的非易失性存储,其断电非易失性使其 主要被应用于大容量存储领域。 图 1:DRAM 和 Flash 是存储器的重要分类 数据来源:EE Times DRAM:内存常用的存储介质。DRAM 的数据可存储时间非常短,其使 用电容存储来保持数据,因而必须每隔一段时间进行一次刷新,否则信 息就会丢失。与 SRAM 相比,DRAM 虽然速度更慢,且保持数据的时间 也相对较短,但其价格却更加便宜。由于技术上的差别,DRAM 的功耗 较低,集成度高且体积更小,并且在速度上也优于所有的 ROM,故而被 广泛的应用。 Flash:大容量闪存。在存储器发展的早期,ROM 一直作为系统的主要 存储设备,但目前其已被 Flash 全面代替了。在特点上,Flash 兼具 RAM 和 ROM 和优势,其不仅断电后不会丢失数据,而且具有电子可擦除、 可编程性能。虽然在读取速度上 Flash 略逊于 DRAM,但是其速度仍然 较快,且其成本远低于 DRAM。在分类上,目前 Flash 主要分为 NOR 和 NAND 两种类型,二者区别主要在于读取方式存在差异,以及存储单 元的连接方式不同。 (1)NOR Flash:NOR Flash 以“字”为基本单位,可以直接运行装载在 其中的代码(XIP)。相比 NAND Flash,NOR Flash 的写入速度更慢, 且其成本更高,因此其主要被应用于 DVD、功能手机、USB Key、TV、 机顶盒、物联网设备等小容量代码闪存领域,目前在 0-16MB Flash 市 场上,NOR Flash 占据了大部分的市场份额。NOR Flash 可分为串行和 并行,其目前以串行为主,具有 XIP 特性,但成本较高,主要占据小容 量市场。此外,由于串行的接口简单、更加轻薄小巧、功耗和系统总体 的成本也更低,所以虽然在读取速度上,其不及并行 NOR Flash,但仍 已成为主要系统方案商的首选。 (2)NAND Flash:NAND Flash 以“块”为基本单位,其单位容量的 成本低,写入与读取速度也均优于 NOR Flash,但用户不能对 NAND Flash 上的代码进行直接运行,因此,很多开发板在使用 NAND Flash 的同时,另需一块 NOR Flash 来运行启动代码。由于具有 NAND Flash 写入和擦出速度快、成本低等特点,其主要被应用在大容量存储领域, 如嵌入式系统(非 PC 系统)的 DOC(芯片磁盘),以及常用的闪盘, 比如手机、*板电脑、U 盘、固态硬盘等。 表 1:DRAM 存储器读写快成本高 DRAM NAND Fllash 成本 高 低 是否易失 易失性 非易失性 随机读取 极快 较慢 擦除/写入速度 极快(无擦除) 快 容量 低(MB/GB) 高(TB/GB) 数据来源:电子工程世界,国泰君安证券研究 NOR Flash 中 非易失性 较快 较慢 中(MB/GB) 在 DRAM 中,又可以根据技术规格的不同可以分为 DDR 系列、GPDDR 系列、L

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